Рубрика: RF и СВЧ-компоненты

AMD добавит до шести интерфейсов UCIe 1.1 в адаптивные SoC Versal RF

AMD добавит до шести интерфейсов UCIe 1.1 в адаптивные SoC Versal RF

AMD планирует добавить встроенную поддержку Universal Chiplet Interconnect Express (UCIe) 1.1 в некоторые адаптивные системы-на-кристалле Versal RF Series. Интерфейс обеспечит прямой высокоскоростной обмен между SoC и специализированными чиплетами в одном корпусе. Отдельные модели получат до шести интерфейсов UCIe с совокупной пропускной способностью в несколько терабит в секунду.

Guerrilla RF разработала 150-ваттный GaN-on-SiC HEMT GRF0150 для частот до 3,2 ГГц

Guerrilla RF разработала 150-ваттный GaN-on-SiC HEMT GRF0150 для частот до 3,2 ГГц

Guerrilla RF разработала GRF0150 — дискретный силовой GaN-on-SiC HEMT без внутреннего согласования. Транзистор выдаёт 150 Вт в точке P3dB и работает в диапазоне от постоянного тока до 3,2 ГГц. Компания предлагает его для широкополосных систем, которым требуется высокая выходная мощность на значительной части радиочастотного спектра.

Collins Aerospace предлагает заказные СВЧ-кабельные сборки для частот до 65 ГГц

Collins Aerospace предлагает заказные СВЧ-кабельные сборки для частот до 65 ГГц

Collins Aerospace разрабатывает заказные межсоединения для радиочастотных, СВЧ- и высокоскоростных систем коммерческой и военной авиации. В линейку входят высокоскоростные СВЧ-сборки для платформ, где передача сигнала должна сохраняться при механических нагрузках, перепадах температуры, вибрации и электромагнитных помехах.

SV Microwave выпустила межсоединения SMPS VITA 67.3 Gen2 до 65 ГГц для платформ SOSA и VPX

SV Microwave выпустила межсоединения SMPS VITA 67.3 Gen2 до 65 ГГц для платформ SOSA и VPX

SV Microwave выпустила линейку SMPS VITA 67.3 Gen2 — новое поколение радиочастотных межсоединений для встраиваемых вычислительных систем. Серия развивает платформу Gen1 и рассчитана на улучшение совместимости, надёжности и интеграции в разных конфигурациях модулей VITA 67.3 при сохранении обратной совместимости с существующим оборудованием.

Ampleon выпустила 800-Вт GaN-транзистор CLF09H4LS800P для диапазона 902–928 МГц

Ampleon выпустила 800-Вт GaN-транзистор CLF09H4LS800P для диапазона 902–928 МГц

Ampleon расширила линейку промышленных ВЧ-приборов на нитриде галлия транзистором CLF09H4LS800P. Это 800-Вт HEMT на GaN-on-SiC, оптимизированный для ISM-диапазона 902–928 МГц. Он рассчитан на ускорители частиц, промышленные системы радиочастотного нагрева и оборудование для генерации плазмы. По заявлению компании, прибор помогает производителям создавать более эффективную и экономичную ВЧ-аппаратуру и сокращать сроки её вывода на рынок.

KRYTAR выпустила направленные ответвители 7–24 ГГц со связью 10 и 20 дБ

KRYTAR выпустила направленные ответвители 7–24 ГГц со связью 10 и 20 дБ

KRYTAR представила два направленных ответвителя — модели 107024010 и 107024020 — для диапазона 7–24 ГГц, охватывающего полосы от C до K. Устройства рассчитаны на системы внешней регулировки уровня, точного контроля и смешения сигналов, а также измерения коэффициентов передачи и отражения при перестройке частоты.

Mercury Systems выпустила усилитель AM1265 с обходным трактом и 6-разрядным аттенюатором

Mercury Systems выпустила усилитель AM1265 с обходным трактом и 6-разрядным аттенюатором

Mercury Systems выпустила AM1265, малошумящий усилитель (LNA) с обходным трактом и встроенным 6-разрядным цифровым ступенчатым аттенюатором. Микросхема рассчитана на радиочастотные тракты аэрокосмической и оборонной аппаратуры, телекоммуникационного оборудования, программно-определяемых радиосистем (SDR) и контрольно-измерительных систем.

Analog Devices выпустила космический усилитель ADH943AS для диапазона 24–34 ГГц

Analog Devices выпустила космический усилитель ADH943AS для диапазона 24–34 ГГц

Analog Devices выпустила монолитный СВЧ-усилитель мощности ADH943AS космического класса. Четырёхкаскадная микросхема выполнена по технологии псевдоморфного транзистора с высокой подвижностью электронов (pHEMT) на арсениде галлия (GaAs) и работает в диапазоне 24–34 ГГц. Усилитель рассчитан на высокочастотные СВЧ- и космические системы, которым нужны высокая выходная мощность, усиление и линейность.

ROHM разработала терагерцевый RTD-генератор второго поколения мощностью до 40 мкВт

ROHM разработала терагерцевый RTD-генератор второго поколения мощностью до 40 мкВт

ROHM Semiconductor разработала терагерцевый генератор второго поколения на резонансно-туннельном диоде (RTD). Новый прибор входит в оценочный комплект RTD-EVK-G2 вместе с кабелем и платой: компании и исследовательские организации могут использовать его для проверки генерации и регистрации терагерцевых волн в компактной лабораторной установке.

GlobalFoundries: SLATE на платформе 9SW RF-SOI может сократить площадь кристалла RF-свитча до 45%

GlobalFoundries: SLATE на платформе 9SW RF-SOI может сократить площадь кристалла RF-свитча до 45%

GlobalFoundries (GF) рассказала о технологии соединения пластин SLATE™ для трёхмерной интеграции (3DI) RF-модулей. В сочетании с платформой 9SW RF-SOI она позволяет размещать крупные полевые транзисторы (FET) друг над другом и тем самым уменьшать площадь RF-переключателей без увеличения места на плате. Компания предлагает этот подход для смартфонов и других компактных подключённых устройств, где растёт число частотных […]