Ampleon расширила линейку промышленных ВЧ-приборов на нитриде галлия транзистором CLF09H4LS800P. Это 800-Вт HEMT на GaN-on-SiC, оптимизированный для ISM-диапазона 902–928 МГц. Он рассчитан на ускорители частиц, промышленные системы радиочастотного нагрева и оборудование для генерации плазмы. По заявлению компании, прибор помогает производителям создавать более эффективную и экономичную ВЧ-аппаратуру и сокращать сроки её вывода на рынок.
CLF09H4LS800P отдаёт 800 Вт в режиме непрерывного сигнала (CW), а его КПД по стоку превышает 80 % во всём целевом диапазоне частот. Производитель отмечает снижение потерь мощности и тепловой нагрузки на систему. Встроенное предварительное согласование позволяет обойтись без дополнительной внешней цепи и сокращает число итераций при разработке и изготовлении прототипов.
Транзистор изготовлен по отработанному процессу Ampleon GaN-on-SiC. Компания заявляет об эффективном отводе тепла и стабильности при длительной эксплуатации. Прибор выдерживает рассогласование нагрузки с КСВН до 10:1, что рассчитано на изменяющиеся и сложные условия работы промышленного ВЧ-оборудования.
Новый транзистор дополняет семейство мощных GaN-приборов Ampleon для промышленных, научных и медицинских систем радиочастотной энергии. CLF09H4LS800P уже доступен в виде образцов и для серийных закупок через глобальную сеть авторизованных дистрибьюторов Ampleon; местные представители и сертифицированные дистрибьюторы предоставляют технические консультации и поддержку при заказе.