Integra RF Power Devices представила IGN1030S10000, высоковольтный GaN-on-SiC транзистор для L-band систем. По данным компании, один прибор способен отдавать 10 кВт импульсной насыщенной выходной мощности в диапазоне 1-2 ГГц.
Транзистор работает при напряжении 150 В. Integra называет это новым ориентиром для мощных L-band RF транзисторов, поскольку такую мощность обычно набирают объединением нескольких менее мощных компонентов.
Переход к одному транзистору может упростить архитектуру усилителя, снизить потери на суммировании, облегчить тепловой расчет и уменьшить размеры системы. Для компактных передатчиков это также означает более высокую плотность мощности.
IGN1030S10000 рассчитан на импульсные L-band применения, где важны высокая пиковая мощность, эффективность и стойкость прибора. Технологию 150 V HV GaN/SiC компания также планирует применять в других частотных диапазонах для мощных RF-систем.
Integra связывает новый прибор с переходом от vacuum electron devices (VEDs) к твердотельным решениям в высокомощных системах. По замыслу компании, такие транзисторы должны дать разработчикам более масштабируемые и эффективные архитектуры.
Сейчас IGN1030S10000 доступен для sampling квалифицированным заказчикам.
«Integra много лет расширяет границы твердотельной RF-мощности на базе HV GaN/SiC, и 10 кВт импульсной выходной мощности в L-band от одного транзистора стали для нас важной вехой», — сказала Suja Ramnath.
По словам Ramnath, рост мощности одиночного HV GaN/SiC транзистора напрямую влияет на архитектуры критически важных платформ. Она отметила, что до этой технологии практическая твердотельная замена VED была ограничена уровнем 10 кВт, а теперь Integra видит путь к мегаваттным архитектурам за счет solid-state решений.