Ampleon представила B10H1822N60D — флагманский чип новой High-Voltage LDMOS Macro Driver платформы для 4G/5G macro base stations. Устройство ориентировано на драйв мощных GaN-SiC транзисторов в базовых станциях и должно упростить RF-тракт за счет высокой степени интеграции, 48-вольтового питания и встроенной 2-stage Doherty-архитектуры.
Новинка работает в диапазоне 1800–2200 МГц и поставляется в компактном термоусиленном корпусе LGA 7 x 7 мм. Внутрь уже интегрированы основные усилительные каскады и matching networks, так что разработчику не нужно собирать классический многоступенчатый driver из россыпи дискретных элементов и потом долго доводить смещение и согласование.
Для macrocell-инфраструктуры это вполне заметный плюс: чем меньше отдельных ступеней и ручной настройки в RF chain, тем проще воспроизводимость и тем ниже вероятность сюрпризов при масштабировании платформы.
Что заявляет Ampleon по B10H1822N60D:
- средняя выходная мощность 33 dBm в типовом режиме;
- усиление около 30 дБ;
- drain efficiency выше 20% под LTE-сигналом;
- независимое управление carrier и peaking bias для тонкой настройки Doherty;
- устойчивость к load mismatch до 10:1 VSWR при заданных условиях.
Питание с номиналом 48 В может упростить архитектуру питания всего GaN-SiC-based macro chain, а сама микросхема рассчитана на wideband-сигналы и высокие PAR, которые типичны для LTE и 5G. Компания отдельно подчёркивает линейность, стабильный gain по всему диапазону и пригодность для multi-band base station platforms.
Помимо чистой производительности, Ampleon делает ставку на эксплуатационную живучесть: есть встроенная ESD-защита, хорошие тепловые характеристики и заявленная устойчивость к сильным рассогласованиям нагрузки. Для плотных macrocell deployments это уже не второстепенная деталь, а вполне практическое требование.
Если коротко, Ampleon пытается занять удобную позицию между классическим LDMOS-наследием инфраструктурного рынка и современной GaN-силовой частью, предложив более собранный и предсказуемый driver stage для 4G/5G радиооборудования.