BAE Systems перешла ко второму этапу THREADS DARPA по охлаждению GaN-электроники

Исследования BAE Systems по отводу тепла в GaN-электронике в программе THREADS DARPA

Исследовательское, конструкторское и производственное подразделение FAST Labs компании BAE Systems завершило первый этап программы Technologies for Heat Removal in Electronics at the Device Scale (THREADS) Управления перспективных исследовательских проектов Министерства обороны США (DARPA). Компания получила дальнейшую поддержку для перехода ко второму этапу.

Программа THREADS нацелена на преодоление температурных ограничений высокопроизводительной радиочастотной электроники, прежде всего устройств на нитриде галлия (GaN). По замыслу программы, улучшенное управление тепловым режимом должно увеличить мощность и дальность военных систем.

Мы рассчитываем продолжить работу на втором этапе программы THREADS. Результаты первого этапа подтверждают наш подход к совершенствованию материалов и технологических процессов и приближают нас к более полному раскрытию возможностей радиочастотных систем для военнослужащих.

Айзек Уайлдесон (Isaac Wildeson), главный исследователь FAST Labs в BAE Systems

По заявлению BAE Systems, разработанные в рамках программы методы управления тепловым режимом позволят почти втрое увеличить дальность радиочастотных систем и тем самым увеличить безопасную дистанцию и дальность применения для военнослужащих. Работы по THREADS ведутся в центре микроэлектроники BAE Systems (Microelectronics Center, MEC) в Нашуа, штат Нью-Гэмпшир. Центр имеет статус доверенного поставщика категории 1A по классификации DoW и занимается разработкой и производством интегральных схем на нитриде галлия и арсениде галлия.

В проекте BAE Systems сотрудничает с Modern Microsystems, Университетом штата Пенсильвания, Стэнфордским университетом, Университетом Нотр-Дам и Техасским университетом в Далласе.

 

Добавить комментарий

Ваш адрес email не будет опубликован. Обязательные поля помечены *